型号:

AO4304

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc描述:MOSFET N CH 30V 18A SOIC 8
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
AO4304 PDF
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 6 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1920pF @ 15V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOIC
包装 带卷 (TR)
其它名称 785-1283-2
相关参数
EVQ-PJU04K Panasonic Electronic Components SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
EVQ-PJC05T Panasonic Electronic Components SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
MC22FF102G-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) CAP MICA 1000PF 1KV 2% 2220
EVQ-PJS05K Panasonic Electronic Components SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
MSPM101CS104 TE Connectivity SWITCH PUSH SPST-NO 0.1A 50V
BFR 380L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3
T93YB501KT20 Vishay Sfernice TRIMMER 500 OHM 0.5W TH
BFR 380L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3
7427927291 Wurth Electronics Inc FERRITE BEAD 600 OHM .30A 0402
BFR 380L3 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3
IPD26N06S2L-35 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
BF 771 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
D101F102GO3F Cornell Dubilier Electronics (CDE) CAP MICA 1000PF 1KV 2% RADIAL
BF 799W H6327 Infineon Technologies TRANS RF NPN 20V SOT323
MPA406R TE Connectivity SWITCH PUSHBUTTON 4PDT 6A 125V
BFS 17W H6327 Infineon Technologies TRANS RF NPN 15V 25MA SOT323
BFS 17P E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
T93YA200KT20 Vishay Sfernice TRIMMER 20 OHM 0.5W TH
SD1275 STMicroelectronics TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135
7427927291 Wurth Electronics Inc FERRITE BEAD 600 OHM .30A 0402